相信大家对中芯国际都不陌生，中芯国际是全球最大的集成电路代工企业，在国内的排名也一直都是名列前茅，为国内的芯片行业做出了很大的贡献。虽然在去年美国针对我国芯片行业断供之后，国家相关部门对中厂实施了新政策，但是不管是之前的芯片制造、晶圆代工等等行业都还是会继续为国内企业提供服务。

所以，如今随着我国5 G建设步伐加快落地，台积电等美国企业也不再是唯一选择。但说起真正能够给半导体行业提供帮助的事情就是光刻机、刻蚀机了，如今台积电也已经是美国打压中国企业重点打击对象。

近日中芯国际传来消息称，中芯某一产品成功取得突破。消息传回国内后，众多网友们都表示在这一领域中已经取得突破。

中芯国际取得突破

虽然台积电的业务并不是直接依赖于中芯国际，但是中芯国际作为全球最大的集成电路代工企业，一旦失去了台积电的供应，那么后续的一切芯片代工、晶圆制造、封装等业务都将会受到影响。在美国芯片企业的打压之下，我国半导体行业发展就更快了。

虽然国内半导体产业一直以来都是被台积电垄断着，但是现在除了华为之外，国内能够让台积电真正失去市场的公司也不多了。

据了解，中芯国际此次取得的突破就是指高端光刻机产品。而中芯国际本次取得突破的光刻机则可以被称为5 nm及以下先进制程的设备。据介绍该产品不仅能够满足如今主流10 nm制程以及5 nm以上先进制程设计需求，还可以为未来的量产做准备。

光刻机技术

但我们知道，目前光刻机技术已经突破了90 nm,所以美国再想在这一领域取得突破就只能是想办法去实现更低功率的光刻了。

而且据报道称，美国正想要获得50台光刻机，这样的技术水平完全不可能达到。所以为了在这一领域取得突破，其实我们也可以理解，毕竟光刻机不单单是一个光刻设备，它还是一种晶圆加工技术。从中芯国际近期宣布的消息来看，中芯已经在30 nm EUV光刻机上成功验证出技术。

从曝光技术来看，其实和90 nm的光刻机有很大差别。90 nm光刻机能在200 nm和28 nm之间自由切换，而75 nm和30 nm之间还存在一定比例的工艺重叠值。而85 nm在工艺上来说有明显的区别,90 nm是一种很新的工艺，在工艺重叠上就有了更大的区别。

刻蚀机技术

光刻机在我们国家发展这么多年来，已经非常成熟了。但光刻机又是一个技术门槛比较高的产品，目前能达到顶尖水平的也就只有光刻技术了。而且就算是光刻机技术达到顶尖水平，光刻精度又能达到多大呢？

光刻机光刻精度是20 nm (纳米),而光刻机分辨率可以达到1 nm,而刻蚀是在硅片上进行刻蚀操作。这就导致不管是光刻机还是刻蚀技术都有很大的差别。如果想要进一步提升对光刻的研究和发展，光刻机光刻精度越高越好。

如果说不是光刻机技术高，但是刻蚀技术不行，那么光刻机刻蚀精度和光刻机一样差也是事实。