0.7纳米芯片！老美意外扔出“王炸”，外媒：这是要逼死台积电？

芯片是一个国家的命脉所在，不管是汽车、手机、电脑还是军工，都离不开芯片的加持。而是否拥有自主设计、研发、制造芯片的能力，是最为关键的，目前我国正在努力突破高端芯片卡脖子的问题，争取在2025年之前实现70%的芯片自给自足！

目前荷兰的ASML拥有最先进的EUV光刻机，台积电至少要在明年才能利用EUV光刻机实现3nm芯片的稳定量产，2nm芯片的量产至少要到2025年。但是万万没想到的是，近日美国方面突然扔出王炸，美企Zyvex重磅宣布利用全球精度最高的光刻系统ZyvexLitho1，使用电子束光刻技术生制造出了全球首颗0.7nm芯片，0.7nm意味着只有两个硅原子的宽度，精度完爆EUV光刻技术！

按照台积电现在的发展速度，如果实现0.7nm的制程至少需要6-7年的时间。而我国目前还处在28nm制程阶段，最多可以实现14nm的技术。所以我国芯片在制程工艺上想要达到美国0.7nm的技术，恐怕需要15年甚至更久，只能说任重而道远啊！

不过美国的0.7nm技术目前同样不具备量产能力，只能小规模供应。如此高的精度主要用于量子计算机系统，因为对于量子计算机来说精度是极其重要的。虽然产量不高，但是这套全球最高精度的光刻系统ZyvexLitho1目前已经正式商用了，订购后的6个月内即可出货，这意味着美国的0.7nm并不是噱头，而是实打实的突破！外媒对此纷纷表示：难道要逼死台积电？

只有正视问题，聚焦差距，我们才能真正地补足短板。美国的0.7nm芯片的突破，让我们意识到我们完全可以像美国一样绕过EUV光刻机造芯片，从而换道超车！毕竟ASML和台积电有着几十年甚至上百年的技术积累，我们不可能在几年之内超越，事实上华为就是这样干的。

目前华为在芯片堆叠方面做了大量的研究，近日公布了相关专利。华为芯片3D堆叠的核心就是用面积换性能，让两颗14nm的芯片堆叠在一起从而实现等效7nm芯片的性能，从而弥补芯片制程上的不足。目前中芯国际已经可以生产14nm的芯片了，一旦堆叠技术完全成熟，华为很有可能会利用此技术绕过EUV光刻机，搭载等效7nm的芯片，换一种方式解决高端芯片卡脖子的问题！

另外华为在量子芯片方面也默默研究了很多年了，最近一条名为一种量子芯片和量子计算机的专利，彻底暴露了华为的动作。该专利解决了量子芯片为人诟病的制造难度大、良品率过低的问题。而且我国的本源量子公司已经发布了全球首款量子芯片设计软件，这一切都在为量子芯片推向市场铺路！

美国0.7nm芯片的突破，给了我们启发，跟在别人的屁股后面企图直线超车是基本上不可能的，只有更换赛道才能彻底突破！不管是3D堆叠芯片还是量子芯片，都展示出我国突破高端芯片限制的决心，相信我们一定可以突破高端芯片的封锁！