比EUV光刻机更先进：美企研发全新光刻机，造出0.7nm芯片

众所周知，目前最顶尖的光刻机是ASML的EUV光刻机，能够制造3nm的芯片。且在ASML的规划中，到2024年或2025年会交付全新一代的High-NA极紫外光刻机。

这种EUV光刻机，数值孔径变为0.55NA，也就是解析度（精度）为8nm，可以制造2nm，以及1.8nm的芯片。

至于1.8nm以下，用什么光刻机？反正ASML现在还没规划，因为1.8nm后，技术又会怎么样变化，谁也不清楚。

但近日，美国一家公司Zyvex，利用一种完全不同于EUV光刻机的技术，制造出了768皮米，也就是0.7nm的芯片。

而0.7nm，差不多相当于2个硅原子的宽度，也是理论上硅基芯片的最高精度，所以很多人认为，当芯片精度达到了1.8nm以后，可能EUV光刻机也不行了，要使用Zyvex公司研发出的这种光刻技术了。

Zyvex公司的光刻技术，是啥技术？其光刻系统命名为为ZyvexLitho1，是基于STM扫描隧道显微镜，使用的是EBL电子束光刻方式，与极紫外线没有任何关系，称之为电子束光刻机，可能更合适一点。

按照Zyvex的说法，这台ZyvexLitho1是可以商用的，还可以接受别人的订单，具体多少钱一台，不清楚，但机器对方可以在6个月内出货。

虽然可以对外出货，但国厂商，想要买到它，可能就千难万难了，基本不太可能，毕竟EUV光刻机都买不到，更不要说精度更高的电子束光刻机了。

当然，硅基芯片，也不需要这种电子束光刻机，这么高的精度更多还是用于量子计算芯片，制造出一些高精度的量子器件，纳米器材等。

另外就是，EBL电子束光刻机，产能非常低，至少在目前大规模制造芯片也不现实，只能小规模的制造量子计算的芯片，至于未来能不能技术改进，提高产能，进而取代EUV光刻机，还不清楚。

但这或许也意味着在EUV光刻机后，EBL电子束光刻机是一个新的方向，你觉得呢？