双箭齐发——蓉矽半导体碳化硅MOSFET线上发布会

 

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碳化硅作为第三代半导体材料，具有较宽的禁带宽度、高击穿电场、高热传导率和高电子饱和速率的物理性能，具备耐高压、耐高温、开关速度快、开关损耗低等显著优势，可有效缩小电路板空间、降低物料成本、减少能源损耗。

对国内市场而言，功率MOSFET因其技术、工艺复杂性高，较大程度上依赖进口，加之新能源汽车、工控电源、光伏逆变等新技术应用及需求迅速增加，国产化替代空间十分广阔。

作为一家SiC新锐企业，成立于2019年的蓉矽半导体拥有一支掌握碳化硅核心技术的国际化团队，整合台湾与欧洲先进碳化硅制造工艺平台，结合大陆封测和应用解决方案，建立了材料、外延、晶圆制造与封装测试均符合IATF 16949质量管理标准的完整供应链，独立自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

9月27日下午2点，蓉矽半导体将举行线上发布会，推出其自主研发的重磅新品——碳化硅NovuSiC® MOSFET(G1)和(G2)两款产品。它们有什么特性、优势，我们将在直播间为大家揭晓，并进行立体化展示！

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除了以上产品信息和满满的技术干货，我们还为蓉矽半导体微信公众号粉丝以及发布会观众准备了丰厚礼品——戴森吹风机、Apple HomePod mini、挂脖风扇，只等你来！

按以下步骤即可参与，心动不如行动：

1. 完成直播注册报名；

2. 扫描二维码，关注蓉矽半导体公众号；

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我们将在当天直播的最后环节为大家现场抽出一、二、三等奖，届时请记得进入直播间关注动态哦。