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和台积电，三星这两大巨头不同，中芯国际正在按照自己的方式发展未来。一方面中芯国际选择在大陆市场加码产能，另一方面深入布局FinFET以及特色工艺等技术。

而台积电，三星选择到美国投资建厂，却未必能得到理想的回报。那么中芯国际在大陆市场的布局有哪些进展好消息呢？台积电，三星押注美国市场，选对了吗？

中芯国际频传好消息

芯片制造领域汇聚众多顶级巨头，和一般的产业相比，芯片制造对技术、资本、人才等等都提出很高的要求，所以能成为巨头的企业都不简单。

以台积电为例，这家企业成立了1987年，独创芯片代加工模式，全球一半以上的芯片都是台积电生产的，每年的营收均能创下新高。

另外三星仅次于台积电，是世界第二的芯片制造商，并且集合了IDM模式，具备设计以及制造，封装的能力。论产业综合实力，台积电也未必是三星的对手。

台积电，三星都在朝着3nm等高端先进工艺出发，瞄准高端制程攻克一代又一代的技术。目前为止，也只有台积电，三星能实现7nm及以下芯片制造，也许将来英特尔也能实现类似的工艺突破，但不是现在。

台积电，三星都在向着高端工艺出发，但是中芯国际却在成熟工艺展开布局，这是为何？

需要明白的是，芯片制程的价值是需要放在需求端体现的。只有符合需求的芯片制程，才能发挥最大的价值，否则即便是高端芯片，也只会出现性能过剩的情况。

就比如消费者采购一款家用电器，或者购买一辆汽车，使用28nm芯片制程就足够了，若使用5nm芯片，除了增加成本，还会造成性能过剩的情况。

所以中芯国际结合自身的技术优势，发挥芯片制程的需求价值是正确的选择。

好消息是，中芯国际还在扩大成熟工艺产能。其打算在天津投资75亿美元建设12英寸晶圆厂，规划月产能为10万片，一年就是120万片，这距离国产芯片70%的自给率目标又进了一步。

另外中芯国际在55nm BCD工艺平台完成第一阶段的研发，进入小批量试产。

这里的55nm和常说的28nm，7nm，5nm等制程都不一样。中芯国际突破的55nm是BCD工艺，这种工艺也叫做单片集成技术，就是集成三种不同的器件在一颗芯片上生产，具备优异性能的同时也有效降低功耗。

台积电，三星不愿看到的情况正在发生，目前台积电，三星在BCD工艺平台的制程只有65nm，全球第一个突破BCD工艺技术的意法半导体厂商也才90nm。由此可见，中芯国际在BCD工艺平台的技术积累已经到了全球领先的水准。

不仅如此，中芯国际在FinFET衍生平台也有多个开发成果稳定导入客户，在智能家居，消费电子有广泛的应用前景。

总的来看，中芯国际频传好消息，在28nm芯片工厂建设，55nm BCD工艺平台已经FinFET衍生技术中都迈出了稳健的前进步伐。

台积电，三星押注美国市场，选对了吗？

台积电和三星在全球芯片制造市场占有重要的地位，所以是美国极力拉拢的对象。一般的条件或许无法吸引台积电，三星到美国建厂，于是美国拿出了巨额补贴。同时还想要将日本，韩国以及台湾省拉入所谓的芯片四方联盟。

在各方面的利益诱惑下，台积电答应了美国建厂的要求，在亚利桑那州投资120亿美元建厂。而三星也有计划在得克萨斯州投资170亿美元建厂。

台积电，三星押注美国市场的动作选对了吗？恐怕选错了。

有韩媒分析指出，美国推动芯片四方联盟是为了削弱台积电，三星的实力，从而给英特尔的发展让路。

若果真如此，美国一定会在暗地里给台积电，三星使绊子，然后给英特尔提供各方面的资源支持。

这倒是符合美国对美企优先的行事作风，过去的美国不管做什么事情，都会有相应的美企成为赢家。这次美国费尽心思搞芯片补贴，组建芯片四方联盟肯定有更深层次的目的。

而美国扶持英特尔发展正好符合美国芯片崛起的需要，这种情况下，台积电，三星押注美国市场，已经注定是错误的选择。不管再怎么努力，也抵不过英特尔作为美企得到的资源支持。

总结

观察中芯国际布局大陆市场的举动，未来大陆市场在提高芯片自给率的同时，中芯国际也能获得更多的机会。和台积电，三星押注美国市场的错误选择相比，谁对谁错一目了然。

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