中国通号自主化芯片荣获“城市轨道交通科技进步奖”一等奖

 

近日，中国通号研究设计院集团负责的多功能车辆总线芯片（以下简称MVB芯片）自主化研究荣获城市轨道交通科技进步奖一等奖。MVB芯片的成功研发意味着在中国轨道交通线上将跳动起具有核心自主知识产权的中国芯。

自主化芯片研发实现突破

目前，列车通信控制网络已被广泛应用于我国高铁列车、普速列车和地铁列车中，其中MVB芯片是实现车载设备总线互联互通的核心部件。MVB芯片长期为国外公司所垄断的状况严重影响我国高铁核心装备的供应链安全，也为运输网络埋下信息安全隐患。

中国通号积极落实国家创新驱动发展战略，推进创新发展。研究设计院集团率先开展MVB芯片自主化研发工作，加快芯片自主化步伐，成功打破国外垄断，助力中国高速铁路通信信号装备摆脱对国外核心基础器件的依赖，被列入中央企业科技创新成果推荐目录（2020年版），在行业内具有跨时代的里程碑意义。

多功能车辆总线芯片作为列车通信网络的核心部分，在中国高铁列控系统核心装备ATP、ATO、BTM、DMI等设备中大量使用，广泛用于列车广播、灯光、空调、车门控制、人机界面、弓网检测等场景，目前已应用于国内多条城轨和高铁线路。

MVB芯片优势

1.完全功耗低自主可控。采用更先进的工艺制程，芯片整体功耗降低，有利于设备整体功耗下降。

2.多电压兼容。采用3.3V-5V兼容的供电方式，可减少硬件实现中的电平转换电路等外围元器件数量，提高产品集成度，降低设备失效率。

3.可靠性高。采用更先进的工艺生产，芯片失效率低。

4.兼容性强。寄存器和封装兼容国外芯片，既有产品无需进行软硬件修改，便于国产化替代。

5.采购成本可控。自主化设计、本土化生产，采购成本可控。

6.供应有保障。不依赖进口，供应稳定。

自主化芯片对行业的深远影响

解决列车通信控制网络卡脖子问题。解决列车通信控制网络卡脖子问题，可全面兼容和替换国外既有MVB芯片，打破国外公司在列车通信网络核心控制芯片上的技术垄断，具备自主知识产权，补齐了列控装备中关键核心技术短板，并且在国内自行设计生产，具有明显成本优势，解决了列控关键基础装备底层芯片卡脖子的问题。

提升列车控制装备的整体技术水平。我国列车控制装备经历了引进-消化-吸收-再创新四个历史阶段，目前正处于深化创新阶段。通过芯片自主化，研制出更先进的技术装备，从根本上提升我国列车控制装备的整体技术水平，不断增强国际竞争力。

推动铁路控制装备产业结构升级。在中国制造2025背景下，芯片关键核心技术是信息产业的关键，列车通信控制网络专用芯片吹响了铁路控制装备芯片自主化的号角。自主化研发的通信控制网络专用芯片在铁路装备控制领域将起到良好示范作用，将持续推动铁路控制装备产业结构升级。

未来，中国通号将继续坚持自主创新，持续聚焦铁路装备芯片研发等核心技术领域，发挥团队集中攻关优势，研发新一代更安全、更可靠、更自主可控的轨道交通控制芯片，实现轨道交通专用芯片国产化、自主化，引领中国轨道交通行业技术进步，推动企业高质量发展。

知识扩展：

芯片介绍

晶体管发明并大量生产之后，各式固态半导体组件如二极管、晶体管等大量使用，取代了真空管在电路中的功能与角色。到了20世纪中后期半导体制造技术进步，使得集成电路成为可能。相对于手工组装电路使用个别的分立电子组件，集成电路可以把很大数量的微晶体管集成到一个小芯片，是一个巨大的进步。集成电路的规模生产能力，可靠性，电路设计的模块化方法确保了快速采用标准化集成电路代替了设计使用离散晶体管。

集成电路对于离散晶体管有两个主要优势：成本和性能。成本低是由于芯片把所有的组件通过照相平版技术，作为一个单位印刷，而不是在一个时间只制作一个晶体管。性能高是由于组件快速开关，消耗更低能量，因为组件很小且彼此靠近。2006年，芯片面积从几平方毫米到350 mm²，每mm²可以达到一百万个晶体管。

第一个集成电路雏形是由杰克·基尔比于1958年完成的，其中包括一个双极性晶体管，三个电阻和一个电容器。

根据一个芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路可以分为以下几类：

·小型集成电路（SSI英文全名为Small Scale Integration）逻辑门10个以下或晶体管100个以下。

·中型集成电路（MSI英文全名为Medium Scale Integration）逻辑门11~100个或 晶体管101~1k个。

·大规模集成电路（LSI英文全名为Large Scale Integration）逻辑门101~1k个或 晶体管1,001~10k个。

·超大规模集成电路（VLSI英文全名为Very large scale integration）逻辑门1,001~10k个或 晶体管10,001~100k个。

·极大规模集成电路（ULSI英文全名为Ultra Large Scale Integration）逻辑门10,001~1M个或 晶体管100,001~10M个。

·GLSI（英文全名为Giga Scale Integration）逻辑门1,000,001个以上或晶体管10,000,001个以上。

芯片集成电路的发展

最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心，可以控制计算机到手机到数字微波炉的一切。虽然设计开发一个复杂集成电路的成本非常高，但是当分散到通常以百万计的产品上，每个集成电路的成本最小化。集成电路的性能很高，因为小尺寸带来短路径，使得低功率逻辑电路可以在快速开关速度应用。

这些年来，集成电路持续向更小的外型尺寸发展，使得每个芯片可以封装更多的电路。这样增加了每单位面积容量，可以降低成本和增加功能，见摩尔定律，集成电路中的晶体管数量，每1.5年增加一倍。总之，随着外形尺寸缩小，几乎所有的指标改善了，单位成本和开关功率消耗下降，速度提高。但是，集成纳米级别设备的IC也存在问题，主要是泄漏电流。因此，对于最终用户的速度和功率消耗增加非常明显，制造商面临使用更好几何学的尖锐挑战。这个过程和在未来几年所期望的进步，在半导体国际技术路线图中有很好的描述。

仅仅在其开发后半个世纪，集成电路变得无处不在，计算机、手机和其他数字电器成为社会结构不可缺少的一部分。这是因为，现代计算、交流、制造和交通系统，包括互联网，全都依赖于集成电路的存在。甚至很多学者认为有集成电路带来的数字革命是人类历史中最重要的事件。IC的成熟将会带来科技的大跃进，不论是在设计的技术上，或是半导体的工艺突破，两者都是息息相关。

芯片分类

集成电路的分类方法很多，依照电路属模拟或数字，可以分为：模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路（模拟和数字在一个芯片上）。

数字集成电路可以包含任何东西，在几平方毫米上有从几千到百万的逻辑门、触发器、多任务器和其他电路。这些电路的小尺寸使得与板级集成相比，有更高速度，更低功耗（参见低功耗设计）并降低了制造成本。这些数字IC，以微处理器、数字信号处理器和微控制器为代表，工作中使用二进制，处理1和0信号。

模拟集成电路有，例如传感器、电源控制电路和运放，处理模拟信号。完成放大、滤波、解调、混频的功能等。通过使用专家所设计、具有良好特性的模拟集成电路，减轻了电路设计师的重担，不需凡事再由基础的一个个晶体管处设计起。

集成电路可以把模拟和数字电路集成在一个单芯片上，以做出如模拟数字转换器和数字模拟转换器等器件。这种电路提供更小的尺寸和更低的成本，但是对于信号冲突必须小心。

芯片制造

参见：半导体器件制造和集成电路设计

从20世纪30年代开始，元素周期表中的化学元素中的半导体被研究者如贝尔实验室的威廉·肖克利（William Shockley）认为是固态真空管的最可能的原料。从氧化铜到锗，再到硅，原料在20世纪40到50年代被系统的研究。尽管元素周期表的一些III-V价化合物如砷化镓应用于特殊用途如：发光二极管、激光、太阳能电池和最高速集成电路，单晶硅成为集成电路主流的基层。创造无缺陷晶体的方法用去了数十年的时间。

半导体集成电路工艺，包括以下步骤，并重复使用：

·光刻

·刻蚀

·薄膜（化学气相沉积或物理气相沉积）

·掺杂（热扩散或离子注入）

·化学机械平坦化CMP

使用单晶硅晶圆（或III-V族，如砷化镓）用作基层，然后使用光刻、掺杂、CMP等技术制成MOSFET或BJT等组件，再利用薄膜和CMP技术制成导线，如此便完成芯片制作。因产品性能需求及成本考量，导线可分为铝工艺（以溅镀为主）和铜工艺（以电镀为主参见Damascene）。主要的工艺技术可以分为以下几大类：黄光微影、刻蚀、扩散、薄膜、平坦化制成、金属化制成。

IC由很多重叠的层组成，每层由视频技术定义，通常用不同的颜色表示。一些层标明在哪里不同的掺杂剂扩散进基层（成为扩散层），一些定义哪里额外的离子灌输（灌输层），一些定义导体（多晶硅或金属层），一些定义传导层之间的连接（过孔或接触层）。所有的组件由这些层的特定组合构成。

·在一个自排列（CMOS）过程中，所有门层（多晶硅或金属）穿过扩散层的地方形成晶体管。

·电阻结构，电阻结构的长宽比，结合表面电阻系数，决定电阻。

·电容结构，由于尺寸限制，在IC上只能产生很小的电容。

·更为少见的电感结构，可以制作芯片载电感或由回旋器模拟。

因为CMOS设备只引导电流在逻辑门之间转换，CMOS设备比双极型组件（如双极性晶体管）消耗的电流少很多。透过电路的设计，将多颗的晶体管管画在硅晶圆上，就可以画出不同作用的集成电路。

随机存取存储器是最常见类型的集成电路，所以密度最高的设备是存储器，但即使是微处理器上也有存储器。尽管结构非常复杂－几十年来芯片宽度一直减少－但集成电路的层依然比宽度薄很多。组件层的制作非常像照相过程。虽然可见光谱中的光波不能用来曝光组件层，因为他们太大了。高频光子（通常是紫外线）被用来创造每层的图案。因为每个特征都非常小，对于一个正在调试制造过程的过程工程师来说，电子显微镜是必要工具。

在使用自动测试设备（ATE）包装前，每个设备都要进行测试。测试过程称为晶圆测试或晶圆探通。晶圆被切割成矩形块，每个被称为晶片（die）。每个好的die被焊在pads上的铝线或金线，连接到封装内，pads通常在die的边上。封装之后，设备在晶圆探通中使用的相同或相似的ATE上进行终检。测试成本可以达到低成本 产品的制造成本的25%，但是对于低产出，大型和/或高成本的设备，可以忽略不计。

在2005年，一个制造厂（通常称为半导体工厂，常简称fab，指fabrication facility）建设费用要超过10亿美元，因为大部分操作是自动化的。

制造过程

芯片制作完整过程包括芯片设计、晶片制作、封装制作、测试等几个环节，其中晶片制作过程尤为的复杂。

首先是芯片设计，根据设计的需求，生成的图样

芯片的原料晶圆

晶圆的成分是硅，硅是由石英沙所精练出来的，晶圆便是硅元素加以纯化（99.999%），接着是将这些纯硅制成硅晶棒，成为制造集成电路的石英半导体的材料，将其切片就是芯片制作具体所需要的晶圆。晶圆越薄，生产的成本越低，但对工艺就要求的越高。

晶圆涂膜

晶圆涂膜能抵抗氧化以及耐温能力，其材料为光阻的一种。

晶圆光刻显影、蚀刻

光刻工艺的基本流程如图1所示。首先是在晶圆（或衬底）表面涂上一层光刻胶并烘干。烘干后的晶圆被传送到光刻机里面。光线透过一个掩模把掩模上的图形投影在晶圆表面的光刻胶上，实现曝光，激发光化学反应。对曝光后的晶圆进行第二次烘烤，即所谓的曝光后烘烤，后烘烤使得光化学反应更充分。最后，把显影液喷洒到晶圆表面的光刻胶上，对曝光图形显影。显影后，掩模上的图形就被存留在了光刻胶上。涂胶、烘烤和显影都是在匀胶显影机中完成的，曝光是在光刻机中完成的。匀胶显影机和光刻机一般都是联机作业的，晶圆通过机械手在各单元和机器之间传送。整个曝光显影系统是封闭的，晶圆不直接暴露在周围环境中，以减少环境中有害成分对光刻胶和光化学反应的影响。

图1：现代光刻工艺的基本流程和光刻后的检测步骤

该过程使用了对紫外光敏感的化学物质，即遇紫外光则变软。通过控制遮光物的位置可以得到芯片的外形。在硅晶片涂上光致抗蚀剂，使得其遇紫外光就会溶解。这时可以用上第一份遮光物，使得紫外光直射的部分被溶解，这溶解部分接着可用溶剂将其冲走。这样剩下的部分就与遮光物的形状一样了，而这效果正是我们所要的。这样就得到我们所需要的二氧化硅层。

掺加杂质

将晶圆中植入离子，生成相应的P、N类半导体。

具体工艺是是从硅片上暴露的区域开始，放入化学离子混合液中。这一工艺将改变搀杂区的导电方式，使每个晶体管可以通、断、或携带数据。简单的芯片可以只用一层，但复杂的芯片通常有很多层，这时候将该流程不断的重复，不同层可通过开启窗口联接起来。这一点类似多层PCB板的制作原理。更为复杂的芯片可能需要多个二氧化硅层，这时候通过重复光刻以及上面流程来实现，形成一个立体的结构。

晶圆测试

经过上面的几道工艺之后，晶圆上就形成了一个个格状的晶粒。通过针测的方式对每个晶粒进行电气特性检测。一般每个芯片的拥有的晶粒数量是庞大的，组织一次针测试模式是非常复杂的过程，这要求了在生产的时候尽量是同等芯片规格构造的型号的大批量的生产。数量越大相对成本就会越低，这也是为什么主流芯片器件造价低的一个因素。

封装

将制造完成晶圆固定，绑定引脚，按照需求去制作成各种不同的封装形式，这就是同种芯片内核可以有不同的封装形式的原因。比如：DIP、QFP、PLCC、QFN等等。这里主要是由用户的应用习惯、应用环境、市场形式等外围因素来决定的。

测试、包装

经过上述工艺流程以后，芯片制作就已经全部完成了，这一步骤是将芯片进行测试、剔除不良品，以及包装。

芯片型号

芯片命名方式一般都是：字母+数字+字母

前面的字母是芯片厂商或是某个芯片系列的缩写。像MC开始的多半是摩托罗拉的，MAX开始的多半是美信的。

中间的数字是功能型号。像MC7805和LM7805，从7805上可以看出它们的功能都是输出5V，只是厂家不一样。

后面的字母多半是封装信息，要看厂商提供的资料才能知道具体字母代表什么封装。

74系列是标准的TTL逻辑器件的通用名称，例如74LS00、74LS02等等，单从74来看看不出是什么公司的产品。不同公司会在74前面加前缀，例如SN74LS00等。

芯片相关拓展

一个完整的IC型号一般都至少必须包含以下四个部分:

前缀（首标）-----很多可以推测是哪家公司产品。

器件名称----一般可以推断产品的功能（memory可以得知其容量）。

温度等级-----区分商业级，工业级，军级等。一般情况下，C表示民用级，Ⅰ表示工业级，E表示扩展工业级，A表示航空级，M表示军品级。

封装----指出产品的封装和管脚数有些IC型号还会有其它内容:

速率----如memory，MCU，DSP，FPGA等产品都有速率区别，如-5，-6之类数字表示。

工艺结构----如通用数字IC有COMS和TL两种，常用字母C，T来表示。

是否环保-----一般在型号的末尾会有一个字母来表示是否环保，如z，R，+等。

包装-----显示该物料是以何种包装运输的，如tube，T/R，rail，tray等。

版本号----显示该产品修改的次数，一般以M为第一版本。

芯片IC命名、封装常识与命名规则:

温度范围：

C=0℃至60℃（商业级）；I=-20℃至85℃（工业级）；E=-40℃至85℃（扩展工业级）；A=-40℃至82℃（航空级）；M=-55℃至125℃（军品级）

封装类型：

A—SSOP；B—CERQUAD；C-TO-200，TQFP﹔D—陶瓷铜顶；E—QSOP；F—陶瓷SOP；H—SBGAJ-陶瓷DIP；K—TO-3；L—LCC，M—MQFP；N——窄DIP﹔N—DIP;；Q—PLCC；R一窄陶瓷DIP（300mil）；S—TO-52，T—TO5，TO-99，TO-100﹔U—TSSOP，uMAX，SOT；W—宽体小外型(300mil)﹔X—SC-60(3P，5P，6P)﹔Y―窄体铜顶；Z—TO-92，MQUAD；D—裸片；/PR-增强型塑封﹔/W-晶圆。

管脚数:

A—8；B—10﹔C—12，192；D—14；E—16；F——22，256；G—4；H—4；I—28；J—2；K—5，68；L—40；M—6，48；N—18；O—42；P—20﹔Q—2，100﹔R—3，843；S——4，80；T—6，160；U—60；V—8(圆形)﹔W—10(圆形)﹔X—36；Y—8(圆形)﹔Z—10(圆形)。

注:接口类产品四个字母后缀的第一个字母是E，则表示该器件具备抗静电功能

芯片封装技术的发展

最早的集成电路使用陶瓷扁平封装，这种封装很多年来因为可靠性和小尺寸继续被军方使用。商用电路封装很快转变到双列直插封装，开始是陶瓷，之后是塑料。20世纪80年代，VLSI电路的针脚超过了DIP封装的应用限制，最后导致插针网格数组和芯片载体的出现。

表面贴着封装在20世纪80年代初期出现，该年代后期开始流行。它使用更细的脚间距，引脚形状为海鸥翼型或J型。以Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）为例，比相等的DIP面积少30-50%，厚度少70%。这种封装在两个长边有海鸥翼型引脚突出，引脚间距为0.05英寸。

Small-Outline Integrated Circuit（SOIC）和PLCC封装。20世纪90年代，尽管PGA封装依然经常用于高端微处理器。PQFP和thin small-outline package（TSOP）成为高引脚数设备的通常封装。Intel和AMD的高端微处理从PGA（Pine Grid Array）封装转到了平面网格阵列封装（Land Grid Array，LGA）封装。

球栅数组封装封装从20世纪70年代开始出现，90年代开发了比其他封装有更多管脚数的覆晶球栅数组封装封装。在FCBGA封装中，晶片（die）被上下翻转（flipped）安装，通过与PCB相似的基层而不是线与封装上的焊球连接。FCBGA封装使得输入输出信号阵列（称为I/O区域）分布在整个芯片的表面，而不是限制于芯片的外围。如今的市场，封装也已经是独立出来的一环，封装的技术也会影响到产品的质量及良率。

台湾积体电路制造股份有限公司，中文简称：台积电，英文简称：tsmc，属于半导体制造公司。成立于1987年，是全球第一家专业积体电路制造服务（晶圆代工foundry）企业，总部与主要工厂位于中国台湾的新竹市科学园区。

2017年，领域占有率56%。2018年一季度，合并营收85亿美元，同比增长6%，净利润30亿美元，同比增长2.5%，毛利率为50.3%，净利率为36.2%，其中10纳米晶圆出货量占据了总晶圆营收的19%。截止2018年4月19日，美股TSM，市值2174亿美元，静态市盈率19

2018年8月3日晚，台积电传出电脑系统遭到电脑病毒攻击，造成竹科晶圆12厂、中科晶圆15厂、南科晶圆14厂等主要厂区的机台停线等消息。台积电证实，系遭到病毒攻击，但并非外传遭黑客攻击8月4日，台积电向外界通报已找到解决方案。

2020年7月16日，在台积电二季度业绩说明会上，发言人在会上透露，未计划在9月14日之后为华为技术有限公司继续供货。而美国政府5月15日宣布的对华为限制新规于9月15日生效。2020年7月13日，台媒钜亨网曾报道，台积电已向美国政府递交意见书，希望能在华为禁令120天宽限期满之后，可继续为华为供货。

2020年8月26日，台积电（南京）有限公司总经理罗镇球在2020世界半导体大会上表示，台积电的5纳米产品已经进入批量生产阶段，3纳米产品在2021年面世，并于2022年进入大批量生产。

扩展知识：台积电简介

台湾积体电路制造股份有限公司，中文简称：台积电，英文简称：tsmc，属于半导体制造公司。成立于1987年，是全球第一家专业积体电路制造服务（晶圆代工foundry）企业，总部与主要工厂位于中国台湾的新竹市科学园区。

2017年，领域占有率56%。2018年一季度，合并营收85亿美元，同比增长6%，净利润30亿美元，同比增长2.5%，毛利率为50.3%，净利率为36.2%，其中10纳米晶圆出货量占据了总晶圆营收的19%。截止2018年4月19日，美股TSM，市值2174亿美元，静态市盈率19。

2018年8月3日晚，台积电传出电脑系统遭到电脑病毒攻击，造成竹科晶圆12厂、中科晶圆15厂、南科晶圆14厂等主要厂区的机台停线等消息。台积电证实，系遭到病毒攻击，但并非外传遭黑客攻击。8月4日，台积电向外界通报已找到解决方案。

2020年7月16日，在台积电二季度业绩说明会上，发言人在会上透露，未计划在9月14日之后为华为技术有限公司继续供货。而美国政府5月15日宣布的对华为限制新规于9月15日生效。2020年7月13日，台媒钜亨网曾报道，台积电已向美国政府递交意见书，希望能在华为禁令120天宽限期满之后，可继续为华为供货。

2020年8月26日，台积电（南京）有限公司总经理罗镇球在2020世界半导体大会上表示，台积电的5纳米产品已经进入批量生产阶段，3纳米产品在2021年面世，并于2022年进入大批量生产。

发展历史

1987年，张忠谋创立台积电，几乎没有人看好。但张忠谋发现的，是一个巨大的商机。在当时，全世界半导体企业都是一样的商业模式。Intel，三星等巨头自己设计芯片，在自有的晶圆厂生产，并且自己完成芯片测试与封装——全能而且无可匹敌。而张忠谋开创了晶圆代工（foundry）模式，我的公司不生产自己的产品，只为半导体设计公司制造产品。这在当时是一件不可想象的事情，因为那时还没有独立的半导体设计公司。

截至2017年3月20日，台积电市值超Intel成全球第一半导体企业。

2018年6月5日，董事长张忠谋宣告正式退休。

2018年7月19日，全球同步《财富》世界500强排行榜发布，台湾积体电路制造股份有限公司排名368位。

2018年12月，世界品牌实验室发布《2018世界品牌500强》榜单，台积电排名第499。2019年，台积电Q1季度营收71亿美元，同比下滑了16%。整体行业排名第三名。

2019年7月，日本宣布限制三种半导体材料，台积电未雨绸缪，也开始排查供应链风险，成立了由晶圆厂、资产管理、风险管理及质量管理等单位组成的小组，首先协助台积电的供应商就潜在的风险制定运营可持续计划，提升供应链的抗风险能力。

2019年10月，在福布斯全球数字经济100强榜排第19位。

2021年上半年，台积电宣布在此后三年内投资1000亿美元提高芯片产能，应对市场对新工艺日益增长的需求。10月，台积电竹南厂正进入试机阶段。

股份构成

荷兰飞利浦公司持股14%，中国台湾当局行政院持股12%。

台积电

2002年，由于全球的业务量增加，台积公司是第一家进入半导体产业前十名的晶圆代工公司，其排名为第九名。台积公司预期在未来的数年内，这个趋势会持续的攀升。

除了致力于本业，台积公司亦不忘企业公民的社会责任，常积极参与社会服务，并透过公司治理，致力维护与投资人的关系。台积公司立基台湾，客户服务与业务代表的据点包括上海、新竹、日本横滨、荷兰阿姆斯特丹、美国加州的圣荷西及橘郡、德州奥斯汀，以及波士顿等地。台积公司股票在中国台湾证券交易所挂牌上市。其股票凭证同时也在美国纽约证券交易所挂牌上市，以TSM为代号。

2010年中，台积公司为全球四百多个客户提供服务，生产超过七千多种的芯片，被广泛地运用在计算机产品、通讯产品与消费类电子产品等多样应用领域。2011年，台积公司所拥有及管理的产能预计达到1360万片八吋约当晶圆。

台积公司2010年全年营收为新台币4195.4亿元，再次缔造新高纪录。台积公司的全球总部位于中国台湾新竹市科学园区，在北美、欧洲、日本、中国大陆、韩国、印度等地均设有子公司或办事处，提供全球客户实时的业务和技术服务。

社会责任

台积电2014年9月27日在高雄市三信家商举办餐会，并邀请参与气爆重建项目的4家协力厂、20家参与企业以及接受公司修缮民宅的462位居民参加，台积电志工社社长张淑芬说：从气爆当时的不舍、感伤与震撼，在经过协助灾区重建过程，今天则是感触良多、内心充满感谢。

张淑芬中午到灾区施工现场关心工程进度，沿途受到灾区住民的欢迎及感谢。在餐会上，张淑芬对来参加餐会的居民说，气爆后台积电到现场勘察后，决定要造桥铺路建议第2天就获台积电主管通过，董事长张忠谋也说经费无上限，尽力去做，有长官支持就没有障碍。同时，在台积电成立救灾平台后陆续有很多企业加入，因此她强调，荣誉是属于大家的不是台积电。

台积电在第1天决定要协助灾区后，第2天马上与高雄市政府连络，第3天大型机器就开进现场施工，第4天就开工了。台积电自2014年8月5日进驻高雄气爆现场，在公司与协力厂商快速且合作之下，已为当地完成道路钢板桩施作570公尺，临时道路铺设4576公尺，搭建临时便桥5座。此次重建经费预计8000万元，其中台积电出资4000万元，包括台积电内部的i公益平台出资1500万元、鸿海集出资1000万元以及SEMI会员和其他企业出资3000万元。

行业竞争

被英特尔挑战

据国外媒体报道，像硅谷大多数芯片专业设计公司一样，Altera一直坚持一个可信的方案：在国内设计芯片，在亚洲生产芯片。对这家位于圣何塞（加州）销售电话设备芯片的公司来说，这就意味着要将芯片生产外包给台积电，其尖端芯片制造工厂可为客户节省资金，因为如果客户要自己建造同样的工厂至少需要投入40亿美元。

芯片代工行业规模每年达到393亿美元，台积电是其中领先的公司，每销售一部智能手机其可获得7美元。但2013年2月下旬，Altera宣布将其先进芯片订单给了英特尔，传统上英特尔只专注自己生产微处理器而不是为其他公司代工。随着PC销售低迷，这家全球最大的芯片制造商为其过剩的产能寻找新的出路。英特尔代工业务副总裁苏尼特·里克希（Sunit Rikhi）表示，赢得Altera的业务极大地提高了我们团队的信心。

英特尔还与小的设计公司如Tabula和Achronix半导体签署合同。2位未被授权公开披露的消息人士称，英特尔为思科系统生产芯片。这些胜利只是英特尔为与台积电和其他代工厂争夺更大的客户——苹果，所做的热身。中国香港汇丰银行的分析师史蒂文·佩拉约（Steven Pelayo）称，IC Insights的数据显示，这家iPhone制造商从三星电子购买了39亿美元定制芯片，苹果希望扩大芯片采购来源，避免让其竞争对手变得更强。

佩拉约称，台积电有着先到优势，因为其在采用苹果需要的先进技术生产芯片上是领先者，尤其是移动芯片。他估计年底台积电获得约三分之一的苹果芯片订单，1年后可获得50%的订单。在尺寸减少1半的下一代芯片上，英特尔会有更大的机会。至于全球第三大代工商和最大的智能手机制造商三星，已经在努力扩大客户，以防苹果订单的减少。佩拉约称，其手机业务（使其成为最大的零部件采购商），在获得芯片制造商的订单上起到作用，这有点像你给我好处，我也不会亏待你。

随着芯片制造商之间的竞争加剧，尚不清楚英特尔能获得多少新客户。很多更大些的芯片设计公司不与台积电竞争，但与英特尔争夺设计合同，这限制了这家位于圣克拉拉（加州）芯片制造商的空间。Ji Asia分析师史蒂夫·迈尔斯（Steve Myers）表示：我预计英伟达或高通或博通可能会寻找与英特尔合作的机会，但台积电客户群很大一部分不一定会对英特尔感兴趣。

英特尔潜在的客户也需要这家美国芯片制造商保证长期致力于代工业务。台积电长期以来一直为外包客户服务，但英特尔没有。Bloomberg Industries分析师阿南德·斯里尼瓦桑（Anand Srinivasan）称，当谈到超越其核心芯片市场时，英特尔已试过多次，而且可以肯定没有成功。过去10年该公司投入了数十亿美元开发手机芯片，但截至2012年底，占不到1%的市场。

英特尔的里克希承认，要赢得大多数代工客户依然有很长的路。Altera的合同只是一张纸上的签名。我们需要将其转变为领先的芯片。

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