7月16日，参考消息发表一条中国芯片的评论文章：

《港媒：中国用芯片封装技术反击美国制裁》

这篇文章引用的是7月14日香港亚洲时报网站的报道。这篇文章在中文互联网引起一阵沸腾！论证了无数人心心念的芯片技术击溃美国的事实！

然而，事实真相又是如何？

文中提到美国科技网站汤姆硬件指南网站。于是我去翻阅了原文。

美国科技网站汤姆硬件指南网站上有一篇7月9日发表的文章：

《美国希望中国的中芯国际停止生产 14 纳米芯片》

这篇文章的作者是自由新闻撰稿人安东·希洛夫。

而这篇文章的讨论主题实际上：当美国商务部认为对中芯国际10 纳米级芯片的制裁不太严厉，而正在考虑限制中国使用 14 纳米级制造工艺生产逻辑芯片！

而这篇文章有三个信息值得注意：

1，现在，N+1 和 N+2 节点都被认为是低于 10nm 的制造工艺，因此中芯国际不得不取消它们的开发。

2，2020 年末表示中芯国际将专注于开发先进的封装技术 ，以制造复杂的多芯片设计。

3，在很大程度上，先进的封装技术可能是中芯国际绕过美国出口限制的方法。

然而，该文章的观点又源自哪里呢？

安东·希洛夫引用了他自己2021年1月13日的文章：

《芯片制造商中芯国际试图绕过进口限制》。

正是在这篇文章里，作者提到：

继华为技术之后，中芯国际是受中美贸易战影响最大的几家公司之一。 到目前为止，该公司不得不放弃依赖 EUV 光刻技术的尖端制造工艺的开发，停止扩大其先进的生产能力，搁置亚 10nm 节点的开发，并重新专注于成熟的制造工艺。

而关于小芯片堆叠弯道超车的概念，文章是这么评论：

1，AMD和Intel均采用小芯片设计；

2，蒋尚义博士在接受采访时表示，中芯国际没有大力投资 EUV，而是研究先进的封装和小芯片技术；

3，中芯国际当然需要数年时间才能开发出英特尔的 EMIB 或 Foveros 等技术。

因此，从这些资料评论中，我们可以发现一个很严重的问题：

1，由于美国对EUV光刻机的制裁，导致中芯国际放弃了EUV制程开发；

2，由于美国对10纳米技术的制裁，导致中芯国际放弃了N+1，N+2的开发；

3，面对有可能的对14纳米技术的制裁，中芯国际的更多封装和小芯片技术将面临同样的风险。

并且，中芯国际面临的困境不仅仅是美国可能将ASML的光刻机纳入制裁范围，还面临从美国公司获得必要的化学原材料和备件等消耗品的风险，同时还有从美国公司获得用于高精度计量、沉积、蚀刻、光刻胶剥离和晶圆清洗等制造设备的风险。

那么，美国会决定对14纳米技术实施新的制裁吗？

参考资料：

https://www.tomshardware.com/news/us-wants-china-smic-to-stop-making-14nm-chips

https://www.tomshardware.com/news/smic-import-restrictions