提到芯片制造工艺，大家能想到的最先进的是台积电，不可否认，它先进工艺技术方面是有独到的地方。但是，不可忽视的是中芯国际，在成熟工艺方面不比任何工厂差，且还在奋力追赶14/7nm工艺。

9月14日，有消息传来，中芯国际14nm工艺实现了规模量产。目前，中心国际已在多个方面取得了不错的成果，它已经做到了，渐渐地形成了自己的优势。

其一，正确扩张成熟工艺形成优势

上个月底，中芯国际计划在天津投资75亿美元，建设一座12英寸晶圆代工生产线项目，月产达10万片，可提供 28 纳米至 180 纳米不同技术节点的晶圆代工与技术服务。

再算上之前的，中芯国际先后已经投资超1700亿，扩张28nm等成熟工艺的产能，而台积电和三星却在为先进工艺竞争着。比如，台积电花大力气赴美投资5/3nm的先进工艺，并没太重视28nm等成熟工艺。

但是，万物互联的时代，互联网、汽车电子、通信、智慧工厂等众多领域需求28nm等成熟工艺芯片，市场存在着巨大的产缺口。而此时的先进工艺，却因为产能利用率开始下滑，出现了削减或推迟订单，为此台积电甚至关闭了部分EUV光刻设备。

因此，在成熟工艺方面，中芯国际可是占足了时间节点和产能两大优势，抢先释放出更多的产能，获取更多此类芯片的订单。

其二，研发出55nm BCD工艺领先全球

近日，中芯国际在2022年上半年财报中表明，在核心技术方面，已完成55纳米BCD平台第一阶段的研发，并进入小批量试产。

要知道，全球功率半导体市场仍然以BCD技术为基础，且功率半导体非常依赖成本驱动。就目前的状况来看，全球主流在售的工艺在90-180nm，推进的最先进的技术在60nm左右。比如，台积电和三星今年上半年就表示，将推进BCD工艺到65nm。

与正常水平来衡量的话，台积电和三星在BCD方面的技术也算是先进水平，但中芯国际的55nm工艺就又上升了一个跨度。因此，在BCD工艺方面，中芯国际不仅突破了技术封锁，更是走在了世界的前沿。

第三，14nm工艺也实现规模量产

早在2019年第四季度，中芯国际的第一代 FinFET 14nm工艺就可以量产，并且一直在规划第二代 FinFET N+1 工艺实现规模量产。终于在9月14日，从上海传来了好消息，中芯国际已经可以实现14nm 工艺规模量产。

从性能来分析

第二代 FinFET N+1 工艺与台积电的14nm相比，提升了 20%性能，降低了 57%的功耗，缩小了63%的逻辑面积和55%的SoC面积 ，接近台积电 8nm 工艺。并且，中芯国际还在布局FinFET N+2工艺的研发，预计一年内应该能量产，此工艺就接近台积电7nm工艺。

对于中芯国际来说，缺少先进的光刻机设备前提下，通过技术手段实现这样性能的14nm工艺量产，已经是一大突破。

写在最后

中芯国际一直按部就班地努力着，先是集中精力把28nm成熟制程芯片做好，同时兼顾14nm、7nm的研发。从上述表现来看，中芯国际做到了，在稳步布局产业链的发展中，逐渐显现了符合自身的优势。

当然，先进制程工艺必不可少，国内芯片产业链想要追赶更先进的工艺，还需要众多科企、芯企一起努力，坚持走自主研发之路，这样才可以走得更远。

对此，你怎么看呢？