院士的呼吁起作用了，中芯国际制造技术再获突破，外媒：堵不住了

 

作为半导体领域的传奇人物，梁孟松接连带领三星、台积电反超英特尔，而在17年加入中芯国际后，不到一年的时间就帮助中芯国际实现了从28nm到14nm的跳跃，300天的时间更是让14nm的良品率从3%提升到了95%。得益于梁孟松的加入，中芯国际近些年完全是开启了跳跃式发展！

据业内人士表示，中芯国际N+1工艺已经成功拿下，并且等效7nm工艺的N+2工艺芯片的量产也提上了日程，并且梁孟松也曾公开表态，EUV光刻机到货之后，5nm工艺芯片即可展开全面的研发，这也意味着在攻坚先进制程工艺方面，中芯国际已经做好了十足的准备。

然而，《瓦森纳协议》、条条芯片限令等成了一个个拦路虎，2018年5月，中芯国际向ASML订购了一台EUV光刻机，本应2019年就该完成交货，事实上至今都没有签收，这就导致高端芯片无法量产。而之后，老美对华为等企业的频频照顾，不少国人呼吁中芯国际要向尖端工艺进军，从而实现高端芯片的自给自足。

然而针对此事，国内院士却有不同的见解，比如倪光南院士就曾表示28nm工艺芯片产品够用了，一旦能够实现自主生产，除了手机之外的大多数电子产品，基本都能满足。龙芯董事长胡伟武也有同样的见解，不用追求先进工艺，28nm够用了！

中芯国际的反应速度很快，先后在上海、深圳、天津宣布扩产28nm工艺生产线，累计投资高达1700亿元。值得注意的是，院士的呼吁起了作用，不仅全球缺芯潮得到了缓解、28nm工艺掌握主动权。同时海外企业先进工艺芯片过剩、台积电接连出现被砍单，年底关闭部分EUV光刻机的局面，更重要的是中芯国际在成熟工艺芯片制造领域还迎来了新突破！

通过中芯国际发布的2022年半年报，一条好消息被许多细心的人发现了：中芯国际55nm BCD平台第一阶段完成研发，已经完成导入客户并投入量产。

对于此事，不少网友或许有很多疑问，什么是BCD？怎么才55nm？

此纳米工艺非彼纳米工艺，BCD平台与传统平台有很大的区别，就好像即便是5nm工艺的手机芯片也赶不上英特尔10nm的PC芯片。

所谓BCD，全称为Bipolar-CMOS-DMOS，Bipolar是用于高精度处理模拟信号的双极晶体管，CMOS是用于设计数字控制电路互补金属氧化物半导体，DMOS用于开发电源和高压开关元器件的双扩散金属氧化物半导体，所以BCD工艺就是单片集成工艺技术，将三种不同器件集成到同一个芯片上，从而带来更强的性能、更低的功耗。

这一技术是意法半导体1985年就研制成功，发展到现在，意法半导体仍然在90nm，即便是台积电和三星这对儿卧龙凤雏，也仅仅发展到了65nm，虽然中芯国际也才55nm，但却做到了全球领先水平。

而中芯国际所带来的55nm先进BCD工艺，在工业控制、智能汽车、显示驱动、电源管理等领域将会扮演极其重要的角色。尤其随着全球数字化的不断加速，显示、电源管理将会出现在各行各业，BCD也备受海内外业内人士的关注。

在米国频频施压的大背景下，中芯国际在BCD工艺方面做到全球领先水平，也有部分外媒表示：堵不住了！现如今再看国内院士的呼吁及中芯国际的快速反应，不难看出押注28nm及成熟工艺，确实做对了！

关于此事，大家怎么看？