“底牌”打完了？光刻机限制失效后，老美打起了3nm工艺的主意

底牌打完了？光刻机限制失效后，老美打起了3nm的主意。

在华为顶尖的5G技术诞生之后，老美也有了启动相关限制的借口，在限制5G发展无果之后，又从供应链优势上下手，中断了所以含美技术企业和华为的合作，由此芯片规则也迎来了新调整。

在台积电正式断供之后，华为的芯片供应渠道就完全被切断，表面上看限制的是华为的发展，但实际上针对的却是整个中国半导体产业，在困境之下国内启动了全面的芯片自研计划。

对于整个造芯过程而言，最难突破的技术就是光刻机，特别是用于先进工艺的EUV光刻机，目前只有ASML公司能够生产，受限于芯片规则，中企订购的EUV光刻机，4年了还没有任何出货的消息。

面对困境中企并没有选择屈服，中芯国际作为国内最先进的代工厂，已经实现了对于7nm工艺的突破，也正在尝试利用DUV光刻机实现制造，而上海微电子也具备了28nm光刻机组装工艺。

在国产的光刻机诞生之后，至少是可以实现14nm芯片自主化的，在配合上中芯国际制造工艺、华为堆叠工艺，是可以实现不亚于7nm芯片的性能的，因此从某种意义上来讲，光刻机限制已经失效了。

老美的底牌打完了？

根据近期传来的消息，老美的最新芯片法案已经落地了，这笔涉及527亿美元的资金补贴，目前也总算尘埃落定了，但想要获取这笔补贴并不容易，明显针对的是中国市场。

在芯片法案中规定，或许补贴的企业十年内不得对中国市场进行扩产、或者先进产能的建设，而且必须留在美本土进行投资，同时还将先进工艺定义为28nm以下，这也是为了进一步限制DUV光刻机的出口。

在芯片法案还没落地之前，ASML就曾找到荷兰商议，要求其督促ASML将光刻机由原本的限制范畴，从EUV升级到DUV范围，但直接被拒绝了，于是乎才在芯片法案增加了这么一条。

更让人意外的是，老美还打起了3nm工艺的主意，除了限制第四代半导体材料氧化镓和金刚石之外，还将用于3nm芯片设计的ECAD软件禁止出口，显然是将底牌一并打出了。

在限制的三年时间里，中国半导体产业迎来了飞速发展，特别是在光刻机领域的技术突破，已经让ASML有所忌惮了，老美自然不可能什么都不知道，显然也已经开始乱了阵脚。

中企该如何应对

而在最新的限制名单中，第四代半导体材料氧化镓和金刚石中企也有涉及，在技术上并不一定比老美落后，况且目前还没被大量用于市场，在这方面显然是无法达到限制目的的。

而唯一让我们感受到压力的，就是用于芯片设计的ECAD软件，虽然目前我们还没达到3nm的层次，但都开始限制先进工艺了，自然更不用说成熟工艺，这个被誉为芯片之母的软件，可以说是整个芯片制造产业的开端，目前国内并没有可替代的技术。

要知道华为此前已经具备有5nm设计工艺了，继续突破3nm工艺相对而言并不难，但没有了软件的支持，一起也就成为空谈了，要说影响那也不能说完全没有。

但目前国际的主流需求，超过90%都源自于成熟工艺，除了手机之类的智能设备才会用到先进工艺，主要完成了成熟工艺的自主化，那一切的问题也就迎刃而解了，因此这一系列的限制也可以说失效了。

而老美一下子把底牌全打出来了，更像是最后的疯狂，采用常规的方法，显然已经限制不到国内半导体产业的发展了，如果在有个5~10年的时间，可能也就真的如ASML所说的，一切自以为先进的技术都将失效。

从限制美企芯片出口，再到控制ASML限制光刻机出口，包括此前想要收购ARM架构，最终是EDA设计软件的限制，老美能够想到的办法几乎用了个遍，但显然并没有达到想要的效果。

目前中企自研芯片的道路，已经越来越顺畅了，国产的EDA软件也已经诞生，虽然并不是那么好用，但也是一个良好的开端了，而龙芯100%自研的LoongArch架构已经应用于市场，在开源架构RISC-V上也持续发力了，完整的产业链在逐步搭建中。

我们也逐渐从被动转变为主动，越是限制我们越是前进，历来都是只要中国想要突破的技术，到最终一定都可以实现弯道超车，对此你们是怎么看的呢？