安世半导体发布晶圆级12和30VMOSFET

【安世半导体发布晶圆级12和30V MOSFET】财联社7月27日电，据安世半导体官微7月27日消息，Nexperia（安世半导体）宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有RDS(on) 特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更持久。此外，安世半导体还推出了一款采用DSN1010封装的12V N沟道Trench MOSFET PMCA14UN。30V PMCB60XN和PMCB60XNE以及12V PMCA14UN现已供货。