中国股市：14亿订单引爆国内市场，碳化硅产业链龙头个股全解析

 

第三代半导体在高频高压场景优势明显，碳化硅为核心材料。多应用领域驱动需求爆发，供给侧缺口巨大 大。碳化硅器件在电动汽车、光电新能源、轨道交通等领域均存在广泛应用前景。

碳化硅市场快速增长的 两大驱动力：1）新能源汽车加速渗透，800V高压快充平台加速布局，拉动车用碳化硅6寸等效晶元286万 片的需求量，如果按照每片2500美元计算，市场规模可达到71.5亿美元。 2）风光储拉动碳化硅器件需求，我们测算2025年全球风光储新增装机量将达687GWh，带来89万片6英寸 碳化硅晶圆需求量，如果按照每片2500美元计算，市场规模可达到22.25亿美元。 从供给端来看，碳化硅衬底、外延材料制作难度大，碳化硅产业链产能受限，全球厂商持续投入，但仍存在 在巨大的供给缺口。

各环节技术壁垒高海外龙头垄断，产业链加速国产替代。SiC衬底占产业链主要价值量，具有极高制造难 度，得益于国内政策大力扶持，衬底领域出现良好的国产替代契机。SiC外延设备仍呈现四大龙头垄断格局， 国内厂商紧追国际前沿加速切入外延晶片生产领域，已具备较高生产水平并逐渐接近海外领先水平。新一 代半导体材料促使全新的封装工艺产生，有望带来价值量的提升。SiC功率器件时代来临，国内企业紧握超 车机会，SiC器件和Si器件价差不断缩小，国产替代进程有望进一步提速。

三安光电（碳化硅全产业链IDM，配合国际大客户验证相关产品）

公司主要从事化合物半导体材料的研发与应用,以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。

斯达半导（SiC车规主驱模块性能领先，获得多家车企客户定点）

公司主营业务为以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计、研发、生产,并以IGBT模块形式对外实现销售。主要产品有600V IGBT模块系列,1200V IGBT模块系列,1700V IGBT模块系列,MOSFET模块系列,600V IPM模块系列等；产品可用于功率范围从0.5kW至1MW以上的不同领域,包括:变频器﹑电焊机﹑感应加热﹑激光﹑太阳能/风能发电装置、高压直流输变电装置、家用电器、机车牵引、UPS、医疗设备等等。

天岳先进（SiC衬底获得大规模订单，有望进入车规应用）

公司是一家国内领先的宽禁带半导体（第三代半导体）衬底材料生产商，主要从事碳化硅衬底的研发、生产和销售，产品可广泛应用于微波电子、电力电子等领域。公司主要产品包括半绝缘型和导电型碳化硅衬底。

时代电气（高压电驱平台突破，大 功率碳化硅主驱产品C-Power发布）

公司在功率半导体器件领域，公司建有 6 英寸双极器件、 8 英寸 IGBT 和 6 英寸碳化硅的产业化基地，拥有芯片、模块、组件及应用的全套自主技术。

士兰微（IDM龙头厂商，快速上量SiC芯片生产线）

公司已建成6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，涵盖材料生长、器件研发、 GaN电路研发、封装、 系统应用的全技术链。

东尼电子（SiC 衬底产能突破，加速国产替代）

公司在研项目主要包含消费电子领域的吸波/屏蔽材料，新能源领域的铝塑膜，正极材料，5G通信领域的环形器，陶瓷滤波器，半导体领域的碳化硅衬底材料等。随着研发项目的不断量产与应用领域的不断拓展，将持续提升公司核心竞争力和销售规模。

露笑科技（SiC衬底产能加速扩张）

公司将与合肥市长丰县人民政府在合肥市长丰县共同投资建设第三代功率半导体（碳化硅）产业园，包括但不限于碳化硅等第三代半导体的研发及产业化项目，包括碳化硅晶体生长、衬底制作、外延生长等的研发生产，项目投资总规模预计 100 亿元。

北方华创（SiC长晶炉设备领域龙 头）

公司主要从事半导体基础产品的研发、生产、销售和技术服务。主要产品为电子工艺装备和电子元器件。经过多年的发展，北方华创在电子工艺装备及电子元器件领域构建了坚实的技术基础，建立了有竞争力的产品体系，打造了专业的技术和管理团队，形成了较强的核心竞争能力。

需求爆发之下，供给缺口却进一步拉开，而衬底便是SiC器件产能的一大关键瓶颈。方预计，2026年全球SiC衬底有效产能为330万片，距同年629万片的衬底需求量仍有较大差距。在业内形成稳定且较高的良率规模化出货前，整个行业都将持续陷于供不应求。

2025年全球新能源车6英寸SiC晶圆市场空间将达143亿元；同年全球风光储687GWh的新增装机量，将为6英寸SiC晶圆带来44.5亿元的需求增量。虽然本土SiC供应商起步较晚，不过得益于新能源车、光伏逆变器本土品牌商市场份额提升，国内企业已获入场机会，且有望通过技术快速迭代和产能扩张受益。