芯片解密需要用到FIB进行电路分析和修改

 

FIB概念：

FIB 是英文 Focused Ion Beam的缩写,依字面翻译为聚焦离子束.简单的说就是将Ga(镓)元素离子化成Ga+, 然后利用电场加速.再利用静电透镜(electrostatic)聚焦,将高能量(高速)的Ga+打到指定的点. 基本原理与SEM类似,仅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)FIB聚焦离子束是针对样品进行平面、界面进行微观分析。检测流程包括：样品制定、上机分析、拍照等，最后提供界面相片等数据。主要用途：1、电路修正, 用于验证原型,改善bug，节省开支，增快上市时间。2、纵面的结构分析可直接于样品上处理,不需额外样品准备。3、材料分析-TEM样品制备,用于精确定点试片制作,减低定点试片研磨所需人员经验的依赖。4、电压对比、用于判定Metal(Via/Contact)是否floating。5、Grain(晶粒)形状大小的判定。

FIB线路修改：

在各类应用中，以线路修补和布局验证这一类的工作具有最大经济效益，局部的线路修改可省略重作光罩和初次试作的研发成本，这样的运作模式对缩短研发到量产的时程绝对有效，同时节省大量研发费用。封装后的芯片，经测试需将两条线路连接进行功能测试，此时可利用聚焦离子束系统将器件上层的钝化层打开，露出需要连接的两个金属导线，利用离子束沉积Pt材料，从而将两条导线连接在一起，由此可大大缩短芯片的开发时间。这也是芯片解密常用到手法。利用聚焦离子束进行线路修改，（A）、（B）将欲连接线路上的钝化层打开，（C） 沉积Pt材料将两个线路连接起来。其实FIB被应用于修改芯片线路只是其功能之一，这里介绍一下另几个功能：样品原位加工.

The Notebook

FIB实物照片

MOVIE DAY

FIB

聚焦离子束：

可以想象，聚焦离子束就像一把尖端只有数十纳米的手术刀。离子束在靶材表面产生的二次电子成像具有纳米级别的显微分辨能力，所以聚焦离子束系统相当于一个可以在高倍显微镜下操作的微加工台，它可以用来在任何一个部位溅射剥离或沉积材料。图1是使用聚焦离子束系统篆刻的数字；图2则是在一个纳米带上加工的阵列孔；图3是为加工的横向存储器单元阵列。剖面制备观察微电子、半导体以及各型功能器件领域中，由于涉及工艺较多且繁杂。一款器件的开发测试中总会遇到实际结果与设计指标的偏差，器件测试后的失效，逻辑功能的异常等等，对于上述问题的直观可靠的分析就是制备相应的器件剖面，从物理层次直观的表征造成器件异常的原因。诱导沉积材料利用电子束或离子束将金属有机气体化合物分解，从而可在样品的特定区域进行材料沉积。本系统可供沉积的材料有：SiO2、Pt、W。沉积的图形有点阵，直线等，利用系统沉积金属材料的功能，可对器件电路进行相应的修改，更改电路功能。

最后：

致芯科技多年来一直致力于芯片解密行业的发展，并且有自己的FIB设备，可以研究多种复杂芯片，开发和解密更多的芯片难题，如果您有芯片需要解密，程序提取，或者PCB抄板需求的可以联系我们啦，期待与您的合作。

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